RU 2095885 C1, 10.11.1997. RU 2033660 C1, 20.04.1995. SU 1103121 A1, 15.07.1984. JP 62-52472 A, 07.03.1987.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Федеральный научно-производственный центр по радиоэлектронным системам и информационным технологиям имени В.И. Шимко" (ФГУП "Федеральный НПЦ "Радиоэлектроника" им. В.И. Шимко") (RU)
Изобретатели:
Сахаров Владимир Акендинович (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Федеральный научно-производственный центр по радиоэлектронным системам и информационным технологиям имени В.И. Шимко" (ФГУП "Федеральный НПЦ "Радиоэлектроника" им. В.И. Шимко") (RU)
Реферат
Изобретение относится к области контроля и может быть использовано для ускоренного контроля качества изготовления полупроводниковых приборов химическим способом, в частности диэлектрических пленок резистивных компонентов гибридных интегральных схем. Технический результат: сокращение времени контроля. Сущность: способ включает химическое травление диэлектрической пленки, нанесенной на резистивный слой, на заданную глубину, определяемую цветом поверхности пленки, соответствующим оставшейся толщине пленки, вызванным интерференцией отраженного белого света от поверхности пленки и от резистивного слоя. Сравнивая полученное время травления с нормативным, определяют качество диэлектрической пленки по химическому составу и структуре кристаллической решетки ее материала. Химическое травление выполняют на технологических полях подложки или на тестовой структуре, изготовленной совместно с резистивными компонентами гибридных интегральных схем. 2 з.п. ф-лы.
Поиск патентов
Получить полное описание патента