RU 2254587 C1, 20.06.2005. US 3723873 A, 27.03.1973. RU 2168735 C2 10.06.2001. RU 2082178 C1, 20.06.1997. Ф.П.КОРШУНОВ и др., Радиационные эффекты в полупроводниковых приборах, Минск, изд. Наука и техника, 1978, с.136.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова" (RU)
Изобретатели:
Седаков Андрей Юлиевич (RU) Яшанин Игорь Борисович (RU) Скобелев Алексей Владимирович (RU) Согоян Армен Вагоевич (RU) Давыдов Георгий Георгиевич (RU) Никифоров Александр Юрьевич (RU) Телец Виталий Арсеньевич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области электронной техники, в частности предназначено для разбраковки КМОП микросхем, изготовленных на КНД структурах, по радиационной стойкости. Технический результат - сокращение времени восстановления микросхем, проведение разбраковки по одному параметру, определение реальной стойкости каждой конкретной микросхемы к дозовому воздействию ионизирующего излучения. Сущность: поэтапно облучают КМОП микросхемы, изготовленные на КНД структурах малой дозой. В качестве критериального параметра, определяющего радиационную стойкость микросхем, выбирают статический ток потребления. Для восстановления исходных параметров микросхем проводят их дополнительное облучение при заземленных выводах. 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента