На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ПЕРЕХОД - КОРПУС ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ

Номер публикации патента: 2178893

Вид документа:  C1  Страна публикации:  RU  Рег. номер заявки:  2001106867/09		Получить полное описание патента

Реферат

Изобретение относится к технике измерения тепловых параметров полупроводниковых приборов, в частности диодов, и может быть использовано для контроля качества диодов и оценки их температурных запасов. Техническим результатом технического решения является уменьшение времени измерения и снижение аппаратурных затрат при реализации способа. Способ измерения теплового сопротивления переход-корпус полупроводниковых диодов заключается в подаче на контролируемый диод греющих импульсов тока постоянной амплитуды Im, в промежутках между которыми через диод пропускают постоянный начальный ток, в определении величины греющей мощности Рm и измерении изменения температурочувствительного параметра прямого напряжения диода при протекании постоянного начального тока. При этом подачу на контролируемый диод греющих импульсов тока осуществляют таким образом, что величину, обратную скважности греющих импульсов тока Q-1 = τu• fсл, где τu - длительность греющих импульсов тока, а fсл - частота их следования, увеличивают по линейному закону с постоянной крутизной SQ, измеряют скорость ϑ изменения прямого напряжения диода при протекании через него начального тока и определяют тепловое сопротивление переход-корпус диода по формуле



где КТ - температурный коэффициент прямого напряжения диода при протекании постоянного начального тока. 2 ил.

Вернуться к списку