|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ МОДЕЛИРОВАНИЯ ВОЗДЕЙСТВИЯ ИМПУЛЬСНОГО ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ НА ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ НА КОМПЛИМЕНТАРНЫХ СТРУКТУРАХ "МЕТАЛЛ - ОКИСЕЛ - ПОЛУПРОВОДНИК" |  |
Номер публикации патента: 2174691 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | G01R031/28 G01R031/26 | | Аналоги изобретения: | ПЕРШЕНКОВ В.С. и др. Поверхностные радиационные эффекты в ИМС. - М.: Энергоатомиздат, 1988, с.32. RU 2046365 C1, 20.10.1995. SU 1819352 A3, 30.05.1993. US 4687989 A, 18.08.1987. FR 2591349 A1, 12.06.1987. |
| Имя заявителя: | Центральный физико-технический институт МО РФ | | Изобретатели: | Новоселов Ю.И.
Анисимов А.В.
Койнов Д.В. | | Патентообладатели: | Центральный физико-технический институт МО РФ |
Реферат | |
Использование: при испытаниях функционирующих интегральных микросхем на комплиментарных структурах металл - окисел - полупроводник (КМОП ИМС) на стойкость к сбою при воздействии импульсного ионизирующего излучения. Техническим результатом является повышение эффективности и снижение стоимости моделирования воздействия импульсного ионизирующего излучения. Моделирующее импульсное ионизирующее воздействие производят только на пробный образец КМОП ИМС, произвольно выбранный из партии исследуемых ИМС. Измеряют амплитудно-временные параметры импульсного электрического тока в цепи питания образца. Затем подают на подложку каждой из исследуемых КМОП ИМС импульсное напряжение. Подбирают его амплитуду, форму и длительность таким образом, чтобы параметры тока в цепи питания КМОП ИМС совпадали с амлитудно-временными параметрами тока в цепи питания пробного образца, зарегистрированными при его облучении импульсным ионизирующим излучением моделирующей установки 4 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента