На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ УСКОРЕННОГО ОПРЕДЕЛЕНИЯ РЕСУРСА ИОННО - ОПТИЧЕСКОЙ СИСТЕМЫ | |
Номер публикации патента: 2126977 | |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | G01R031/24 H01J037/08 | Аналоги изобретения: | Russel K.J. et al "Electric propulsion design optimization methodology", "Journal Space craft and Rockets", v.7, N 2, 1970, p.164. Перроте А.И. и др. Основы ускоренных испытаний радиоэлементов на надежность. - М.: Сов.радио, 1968, с.35-42. SU 1596287 A1, 30.09.90. SU 1746336 A1, 07.07.92. GB 1118557 A, 03.07.68. |
Имя заявителя: | Московский государственный авиационный институт (технический университет) | Изобретатели: | Егоров Б.М. Ашманец В.И. Гаврюшин И.В. Григорьян В.Г. Минаков В.И. | Патентообладатели: | Московский государственный авиационный институт (технический университет) Егоров Борис Михайлович Ашманец Вадим Иванович Гаврюшин Иван Владимирович Григорьян Владимир Грантович Минаков Валерий Иванович |
Реферат | |
Изобретение используется в технике создания интенсивных ионных потоков, в частности к методам определения ресурса ионно-оптических систем (ИОС). Технический результат заключается в повышении точности определения ресурса ИОС и сокращения временной базы на проведение испытаний за счет создания при испытаниях идентичных условий распыления материала ускоряющего электрода ИОС и снятия ограничения на относительное увеличение плотности распыляющего обратного тока ионов в форсированном режиме работы. Ресурсные испытания проводят на уменьшенном в KL = L/LM раз модельном образце ИОС, где L и LM - геометрические размеры ИОС испытываемого и модельного образца, а увеличение плотности обратного тока реализуют путем принудительного генерирования плазмы в пространстве, примыкающем к поверхности ускоряющего электрода со стороны выхода из ИОС. При этом должно быть выдержано соотношение критерия подобие K2@L · Kj обр. = 1, где Kj обр. = jобр./jобр. М - отношение плотностей обратных токов ионов для испытываемого и модельного образца ИОС. 3 ил.
|