|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОВЕРХНОСТНОГО ИЗГИБА ЗОН ПОЛУПРОВОДНИКА ϕs В МДП - СТРУКТУРЕ |  |
Номер публикации патента: 2117956 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | G01R031/26 | | Аналоги изобретения: | 1. Zaininger K.H., Heiman F.P. - The C.- V. Technique as an Anflytical Tool. Solid State Technology, v.13 (1970), N 6, p.47 - 55. 2. Каплан Г.Д. и др. Исследование импульсных характеристик МДП-структур при высоких скоростях изменения напряжения смещения. - Микроэлектроника, 1975, т.4, с.306. 3. Fahrner W.R., Schneider C.P. A new fast technique for large-scale measurements of generation lifetime in semiconductors. J.Electrochem Soc. 1976, v.123, N 1, p.100. |
| Имя заявителя: | Санкт-Петербургский государственный технический университет | | Изобретатели: | Бородзюля В.Ф.
Рамазанов А.Н. | | Патентообладатели: | Санкт-Петербургский государственный технический университет |
Реферат | |
Изобретение относится к области измерения и контроля электрофизических параметров и может быть использовано для оценки качества технологического процесса при производстве твердотельных микросхем и приборов на основе МДП-структур. Технический результат, обеспечиваемый изобретением, - получение возможности непосредственно регистрировать зависимость изгиба зон полупроводника ϕs(Va) от модулирующего МДП-структуру напряжения с различной скоростью α его изменения. Он достигается тем, что в качестве модулирующего напряжения используют напряжение пилообразной формы и определяют зависимость ϕs от величины модулирующего напряжения по разности сигналов на нагрузочной емкости от воздействия на МДП-структуру обогащающей и обедняющей структуру основными носителями заряда полуволн модулирующего напряжения. 3 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента