|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| УСТРОЙСТВО ДЛЯ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПЛАСТИН |  |
Номер публикации патента: 2101721 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | G01R031/265 H01L021/66 | | Аналоги изобретения: | 1. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. - М.: Мир, 1973, с.125. 2. D.V.Lang. Deep-Level Transient Spectroscopy: A New Method to Characterize Traps in Semiconductors. Journ. Appl. Phys., v. 45, N 7, 1974, p.3023. 3. Денисов А.А., Лактюшкин В.Н., Садофеев Ю.Г. Релаксационная спектроскопия глубоких уровней. Обзоры по электронной технике. Серия 7. Технология, организация производства и оборудование. Вып.15. - М.: Изд. ЦНИИ "Электроника", 1985. 4. Берман Л.С., Лебедев А.А. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. - Л.: Наука, 1981. |
| Имя заявителя: | Подшивалов Владимир Николаевич | | Патентообладатели: | Подшивалов Владимир Николаевич |
Реферат | |
Устройство для определения электрофизических параметров полупроводниковых пластин содержит термостолик из проводящего материала, обеспечивающий нагрев или (и) охлаждение находящейся на нем полупроводниковой пластины, датчик температуры полупроводниковой пластины и анализатор сигнала, обеспечивающий регистрацию амплитудно-временных характеристик сигнала, дополнительно введены источник электромагнитного излучения, выполненный с возможностью изменения излучения во времени по импульсной или периодической зависимости, а энергия кванта излучения источника выше порога генерации свободных носителей заряда в полупроводнике пластины, плоский прозрачный электрод из проводящего материала и высокоомный измерительный усилитель напряжения, причем источник электромагнитного излучения расположен над полупроводниковой пластиной и выполнен с возможностью ее облучения через прозрачный электрод, расположенный параллельно полупроводниковой пластине, между полупроводниковой пластиной и прозрачным электродом имеется прозрачная диэлектрическая прослойка, сам электрод присоединен к входу высокоомного измерительного усилителя, а выход этого усилителя подсоединен к анализатору сигнала. 1 з. п. ф-лы, 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента