Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ РАЗБРАКОВКИ ТРАНЗИСТОРОВ ПО ВЕЛИЧИНЕ ТОКОВ УТЕЧКИ

Номер публикации патента: 2098839

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 5064688 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: G01R031/26    
Аналоги изобретения: 1. Watchnik R, Bucelot T., Li G., I.Appl Phys, 1988, N 9, р. 4734 - 4740. 2. Tang D, Hackaoth E, Chen T, IEEE Trans, v. ED-37, 1990, р. 1698 - 1706. 

Имя заявителя: Институт проблем кибернетики РАН 
Изобретатели: Бубенников А.Н.
Кобозев Г.А. 
Патентообладатели: Институт проблем кибернетики РАН 

Реферат


Изобретение относится к области тестирования и измерения параметров полупроводниковых приборов. Сущность изобретения: в способе тестирования токов утечек транзистора на первой стадии пропускают эмиттерный ток через прямосмещенный эмиттерно-базовый p-n переход при закороченных коллекторе и базе. На второй стадии пропускают коллекторный ток через прямосмещенный коллекторно-базовый переход при подключении эмиттера и базы к общей шине. При этом прямое напряжение коллектор - база подают в виде последовательности импульсов со скважностью не менее 104 и длительностью импульса не более 3·10-4 с, с амплитудой, обеспечивающей плотность эмиттерного тока не менее 2·106 А/см2. На третьей стадии повторяют процедуру первой стадии и сравнивают базовые токи в диапазоне 10-12-10-6 А для первой и третьей стадии, после чего по более чем 10%-му увеличению базового тока отбраковывают испытуемые транзисторы. 4 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"