|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ |  |
Номер публикации патента: 2080611 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | G01R031/26 | | Аналоги изобретения: | 1. Ж.Панков. Оптические процессы в полупроводниках.- М.: Мир, 1973. 2. D.V. Lang. Deep-level transient spectroscopy: A new method to characte uze traps in semicondactors. Yorn, Apple Phys v. 45, N 7, р.3023 (1974). 3. А.А.Денисов, В.Н.Лактюшкин, Ю.Г.Садофеев. Релаксационная спектроскопия глубоких уровней. Обзоры по электронной технике. Серия 7. Технология,организация производства и оборудование. Вып. 15 (1141).- М.: изд. ЦНИИ"Электроника", 1985. 4. Л.С.Берман., А.А.Лебедев. Емкостная спектроскопия глубоких центров в полупроводниках.- Л.: Наука, Ленинградское отделение, 1981. 5. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Т.Калашников. Физика полупроводников.- М.: Наука, 1990. |
| Имя заявителя: | Подшивалов Владимир Николаевич | | Изобретатели: | Русаков Н.В.
Кравченко Л.Н.
Подшивалов В.Н. | | Патентообладатели: | Подшивалов Владимир Николаевич |
Реферат | |
Использование: техника контроля полупроводников и может быть использовано для локального контроля параметров глубоких центров. Сущность изобретения: контролируемую полупроводниковую пластину помещают между двумя проводящими обкладками, одна из которых прозрачна, неравновесную разность потенциалов на барьерном переходе создают путем облучения полупроводниковой пластины через прозрачную обкладку электромагнитным излучением и генерации фотоЭДС. Информацию о релаксационных процессах снимают с использованием емкостной связи между обкладками и поверхностями полупроводниковой пластины. Для обеспечения требуемой локальности электромагнитное излучение фокусируют. В случае однородных по толщине полупроводниковых пластин (например, полуизолирующих подложек) в качестве барьерного перехода используют переход поверхность - объем полупроводника. При реализации предлагаемого способа наиболее естественно облучать полупроводниковую пластину прямоугольными импульсами электромагнитного излучения фиксированной интенсивности, далее определять амплитуду и форму импульсов на проводящих обкладках, а значения параметров релаксационных процессов рассчитывать по значениям параметров импульсов на обкладках. 3 з.п. ф-лы, 3 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента