Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ НЕОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В БАЗЕ ТРАНЗИСТОРА

Номер публикации патента: 1818981

Вид документа: A1 
Страна публикации: SU 
Рег. номер заявки: 4849023 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: G01R031/26    
Аналоги изобретения: Пасынков В.В. и др. Полупроводниковые приборы. - М.: Высшая школа, 1973. Авторское свидетельство СССР N 1020788А, кл. G 01 R 31/26, 1983. 

Имя заявителя: Ереванский политехнический институт им.К.Маркса 
Изобретатели: Варданян Р.Р.
Варданян А.А.
Гуюмджян С.С.
Рштуни Г 

Реферат


Сущность изобретения: изобретение позволяет определять время жизни, а также подвижность неосновных носителей заряда в базе как бездрейфового, так и дрейфового транзистора. Для этого в способе, включающем воздействие на транзистор магнитным полем, направляют вектор индукции поля параллельно поверхности коллекторного перехода и измеряют предельную частоту и статический коэффициент усиления транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Затем повторяют измерения без воздействия магнитным полем и определяют искомые параметры по приведенным формулам. 1 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"