На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ НЕОСНОВНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В БАЗЕ ТРАНЗИСТОРА | ![](Images/non.gif) |
Номер публикации патента: 1818981 | ![](Images/empty.gif) |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | G01R031/26 | Аналоги изобретения: | Пасынков В.В. и др. Полупроводниковые приборы. - М.: Высшая школа, 1973. Авторское свидетельство СССР N 1020788А, кл. G 01 R 31/26, 1983. |
Имя заявителя: | Ереванский политехнический институт им.К.Маркса | Изобретатели: | Варданян Р.Р. Варданян А.А. Гуюмджян С.С. Рштуни Г |
Реферат | ![](Images/empty.gif) |
Сущность изобретения: изобретение позволяет определять время жизни, а также подвижность неосновных носителей заряда в базе как бездрейфового, так и дрейфового транзистора. Для этого в способе, включающем воздействие на транзистор магнитным полем, направляют вектор индукции поля параллельно поверхности коллекторного перехода и измеряют предельную частоту и статический коэффициент усиления транзистора, включенного по схеме с общим эмиттером. Затем повторяют измерения без воздействия магнитным полем и определяют искомые параметры по приведенным формулам. 1 ил.
|