|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПАРАМЕТРОВ ВОЛЬТ - ФАРАДНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ДИОДА |  |
Номер публикации патента: 1817559 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | G01R031/26 | | Аналоги изобретения: | 1. Аронов В.Л., Федотов Я.А. Испытание и исследование полупроводниковых приборов. М.: Высшая школа, 1975, 5.1. 2. Берман Л.С. Емкостные методы исследования полупроводников. -Л.: Наука, 1972. 3. C.T.F. Ridders. Internat. - J.Electronics, 1978, v.63, N 3, pp.371-374. 4. Авторское свидетельство СССР N 362263, кл. G 01R 31/26, 1973. 5. ГОСТ 18986.4-73. Диоды полупроводниковые. Методы измерения емкости. |
| Имя заявителя: | Воронежский государственный университет им.Ленинского комсомола | | Изобретатели: | Питанов В.С. |
Реферат | |
Использование: измерение вольт-фарадной характеристики диода с определением ее основных параметров: коэффициента нелинейности емкости, т.е. относительной крутизны вольт-фарадной характеристики: показателя степени зависимости емкости от напряжения, а также величины диффузионного потенциала выпрямляющего контакта диода. Сущность изобретения: диод включают в качестве емкостного плеча емкостно-омического делителя, подают на него обратное смещение и малый гармонический сигнал известной частоты, измеряют эффективные значения напряжений основной частоты на диоде и резисторе делителя, а также эффективное значение напряжения второй гармоники на резисторе делителя, после чего перечисленные параметры находят по приведенным формулам. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента