|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ВЫРОЖДЕННЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ |  |
Номер публикации патента: 1694018 |  |
| Редакция МПК: | 5 | | Основные коды МПК: | H01L021/66 G01R031/26 | | Аналоги изобретения: | Блад П., Ортон Дж.В. Методы измерения электрических свойств полупроводников. -М.: Зарубежная электроника, N 2, 1981, с.39-41. |
| Имя заявителя: | Новосибирский электротехнический институт | | Изобретатели: | Корнилович А.А.
Уваров Е.И.
Студеникин С. |
Реферат | |
Изобретение относится к неразрушающему контролю параметров полупроводников и может быть использовано для определения однородности и качества материалов. Цель - повышение точности и локальности неразрушающего контроля. Образец охлаждают до гелиевых температур. Воздействуют на него изменяющимся постоянным магнитным полем B и одновременно переменным магнитным полем с амплитудой h << B. Воздействуют на образец направленным перпендикулярно постоянному магнитному полю B монохроматическим когерентным излучением, энергия кванта которого меньше ширины запрещенной зоны полупроводника, и поляризованного так, что вектор напряженности электрического поля перпендикулярен постоянному магнитному полю B. Регистрируют интенсивность 1 прошедшего через образец или отраженного от него излучения. По соседним максимумам зависимости второй производной d21o/B2 от величины B определяют концентрацию носителей заряда по формуле  (B-1@N+1-B-@N1)3/2, где K = 0,1,2,3, ...; 1 - заряд электрона, h - постоянная Дирака; N - номер максимума (номер уровня Ландау); BN и BN+1 - значения индукции постоянного магнитного поля, соответствующие двум соседним максимумам N и N + 1. 3 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента