RU 2303787 C1, 27.07.2007. SU 1746282 A1, 07.07.1992. RU 2202804 C2, 20.04.2003. DE 10219510 A1, 13.11.2003.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН (RU)
Изобретатели:
Зайцев Борис Давыдович (RU) Шихабудинов Александр Магомедович (RU) Теплых Андрей Алексеевич (RU) Кузнецова Ирен Евгеньевна (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН (RU)
Реферат
Изобретение относится к электротехническим измерениям, а именно к измерению диэлектрической проницаемости твердых диэлектрических материалов. Исследуемый образец, имеющий форму пластины, располагают вблизи поверхности измерительного датчика. Датчик представляет собой пьезоэлектрическую пластину с двумя встречно-штыревыми преобразователями. На датчик подается непрерывный высокочастотный электромагнитный сигнал, который преобразуется в неоднородную пьезоактивную акустическую волну, распространяющуюся вдоль пьезоэлектрической пластины. Электрические поля этой волны, проникая в исследуемый образец, меняют ее скорость и, соответственно, фазу выходного сигнала. Искомая величина определяется по измеренному значению фазы по градуировочной кривой, построенной с помощью набора эталонных образцов. Исследуемый образец должен иметь фиксированную ширину и длину, превосходящую апертуру волны. Толщина исследуемого образца должна быть больше половины толщины пьезоэлектрической пластины, причем на верхнюю поверхность не накладывается каких-либо условий (она может быть неровной, непараллельной нижней поверхности, неплоской). Технический результат заключается в упрощении способа и повышении точности измерения для пьезоэлектрических материалов и материалов с относительной диэлектрической проницаемостью выше 8. 5 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента