Golosovsky M., Davidov D. Novel millineter-wave neareld resistivity microscope. Appl. Phys. Lett. 1996. t.68 v.11 - p.p.1579-1581. Anlage S.M., Steinhauer D.E., Feenstra B.J., Vlahacos C.P., Welstood V.C. Near-Field Microwave Microscopy of Material properties // Microwave Superconductivity. - Amsterdam. 2001. P.239-269. WO 0003253 A1, 20.01.2000. WO 0221147 A2, 14.03.2002.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского" (RU)
Изобретатели:
Усанов Дмитрий Александрович (RU) Горбатов Сергей Сергеевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области радиотехники и электроники и может быть использовано для измерения электрофизических параметров материалов. Устройство представляет собой прямоугольным волновод с подключенным к нему СВЧ генератором и измерительным устройство. Устройство содержит индуктивную диафрагму 2, установленную в волноводе 1 перпендикулярно широкой стенке волновода. На расстоянии /10 ( - длина волны основного типа) установлена емкостная диафрагма 3, плоскость включения которой параллельна плоскости включения индуктивной диафрагмы. В пространстве между диафрагмами установлены в одной плоскости, перпендикулярно широкой стенке волновода и параллельно узкой стенке, два прямоугольных металлических выступа 4, 5, один из которых закреплен на верхней половине емкостей диафрагмы, второй на нижней половине емкостной диафрагмы. Выступ 4 имеет гальванический контакт с верхней половиной емкостной диафрагмы 5. Расстояние между краями выступов и плоскостью индуктивной диафрагмы составляет ~/100. Расстояние между краями выступов и плоскостью индуктивной диафрагмы выбрано из условия возникновения резонанса с малым коэффициентом отражения. Технический результат заключается в обеспечении возможности разрешения встречно-штыревых гребенчатых структур с периодом порядка 20 микрометров и менее. 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента