|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ S - ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРОВ СВЧ В ЛИНЕЙНОМ РЕЖИМЕ |  |
Номер публикации патента: 2361227 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | G01R027/28 | | Аналоги изобретения: | Shamsur R. Mazumder and P.D. van der Pulie. «Two-Signal» Method of Measuring the Large-Signal S-Parameter of Transistors // IEEE Trans. On Microwave Theory and Techn. - 1978. - V.MTT - 26. - |
| Имя заявителя: | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики" (RU) | | Изобретатели: | Рясный Юрий Васильевич (RU)
Борисов Александр Васильевич (RU)
Лоскутов Андрей Николаевич (RU)
Чашков Михаил Сергеевич (RU) | | Патентообладатели: | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики" (RU) |
Реферат | |
Изобретение относится к технике измерения на СВЧ и может быть использовано для измерения S-параметров пассивных и активных четырехполюсников СВЧ. Способ измерения S-параметров транзисторов СВЧ в линейном режиме заключается в следующем: выделяют падающие и отраженные волны напряжений от устройства, содержащего собственно транзистор и держатель транзистора, измеряют отношения падающих и отраженных волн при изменении разности фаз между падающими волнами в диапазоне 0°-360°.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента