SU 140104 А, 03.10.1961. RU 2117361 C1, 10.08.1998. RU 2008148795 A, 20.06.2010. RU 2008147122 A, 10.06.2010. RU 97102455 A, 10.03.1999. RU 2321921 C1, 10.04.2008. GB 1220814 A, 27.01.1971. GB 782450 A, 04.09.1957.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Институт энергетических проблем химической физики РАН (RU)
Изобретатели:
Шиляев Анатолий Алексеевич (RU) Емохонов Виктор Николаевич (RU) Целебровский Алексей Николаевич (RU) Сигов Александр Сергеевич (RU) Шиляева Анастасия Анатольевна (RU) Фомина Лидия Федоровна (RU) Ушаков Александр Леонидович (RU) Денискин Виктор Васильевич (RU) Вербицкий Сергей Сергеевич (RU) Матвеенко Юрий Алексеевич (RU) Иванов Анатолий Александрович (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Институт энергетических проблем химической физики РАН (RU)
Реферат
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения величины потока импульсного излучения в СВЧ и миллиметровом диапазонах. Согласно изобретению на диэлектрический клин толщиной d1 с высокой теплопроводностью 1, помещаемый внутрь волновода, нанесен адсорбирующий тонкий слой диэлектрика. На этой пленке сформировано N термочувствительных тонкопленочных резисторов площадью S=a*b<*1 (где - быстродействие датчика - время выхода на стационарное состояние температуры нагрева термоэлемента при воздействии на него импульсом электромагнитной энергии прямоугольной формы). Величина может быть уменьшена выбором размеров и числа тонкопленочных резисторов. Конструкция датчика обеспечивает его согласование с волноводным трактом. Изобретение обеспечивает повышение точности измерения потока энергии и параметров формы импульса СВЧ-излучения с длительностью менее 10 наносекунд. 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента