RU 2208798 C1, 20.07.2003. JP 61266961 A, 26.11.1986. US 2007052971 A, 08.03.2007. JP 9211093 A, 15.08.1997. RU 2281516 C2, 10.08.2006.
Имя заявителя:
Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (RU), Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики" - ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ" (RU)
Изобретатели:
Моисеенко Александр Николаевич (RU) Маркевцев Игорь Михайлович (RU) Таценко Ольга Михайловна (RU) Филиппов Алексей Владимирович (RU)
Патентообладатели:
Российская Федерация, от имени которой выступает государственный заказчик - Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (RU) Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики" - ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ" (RU)
Реферат
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения импульсного тока и напряженности магнитного поля. Устройство содержит источник монохроматического светового излучения, подводящее оптоволокно, магнитооптический датчик, выводящее оптоволокно и регистратор. Магнитооптический датчик содержит последовательно соединенные коннектор, один виток, охватывающий токопровод, и адаптер. Виток магнитооптического датчика выполнен из одномодового оптоволокна с одной постоянной Верде. Адаптер включает последовательно расположенные в корпусе втулку, шайбу, поляризационную пленку-анализатор, шайбу и втулку. Согласно второму варианту изобретения магнитооптический датчик размещен на токопроводе и содержит последовательно расположенные внутри корпуса втулку, микролинзу, поляризационную пленку-поляризатор, ячейку Фарадея, поляризационную пленку-анализатор, микролинзу и втулку. Ячейка Фарадея может быть выполнена из кварца, тяжелого флинта или стекла и имеет форму цилиндра. В качестве источника монохроматического светового излучения в обоих вариантах используется одномодовый полупроводниковый лазер. Технический результат - расширение функциональных возможностей, диапазона измеряемых токов и напряженности магнитного поля, уменьшение погрешности измерений тока, а также возможность быстрой замены одного датчика на другой. 2 н.п. ф-лы, 5 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента