|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ДАТЧИК НАПРЯЖЕННОСТИ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ (ВАРИАНТЫ) |  |
Номер публикации патента: 2122223 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | G01V003/02 G01R029/08 | | Аналоги изобретения: | US 3641427 A, 1972. SU 615440 A, 1978. SU 1259201 A1, 1986. SU 1048440 A, 1983. SU 1117481 A, 1984. SU 1125577 A, 1984. SU 1236403 A1, 1986. SU 1343376 A1, 1987. SU 1770929 A1, 1992. FR 2109178 A1, 1988. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт радиоэлектроники и лазерной техники Московского государственного технического университета им.Н.Э.Баумана | | Изобретатели: | Зимин Е.Ф.
Мисеюк О.И. | | Патентообладатели: | Московский энергетический институт (технический университет) |
Реферат | |
Изобретение относится к электрофизическим измерениям, в частности для измерений плотности тока проводимости либо напряженности электрического поля, и может быть использовано в океанологии, геофизических исследованиях, электроразведке. Технический результат состоит в минимизации искажений, вносимых датчиком в исследуемое электрическое поле. Технический результат достигается выбором формы диэлектрического корпуса, направляющие которого совпадают с силовыми линиями поля, а электроды, измеряющие разность потенциалов, установлены перпендикулярно оси корпуса, совпадают с эквипотенциальными поверхностями и соединены друг с другом через виток трансформатора тока. Корпус может быть выполнен в виде полого прямого цилиндра, электроды размещены внутри корпуса и сообщены с окружающей средой посредством гидроканалов, имеющих форму усеченных конусов. Корпус может быть выполнен в виде полого герметичного куба и снабжен плоскими диэлектрическими экранами, образующими гидроканалы в виде усеченных четырехгранных пирамид. Для вариантов выполнения производится выбор геометрических размеров. 2 с.п.ф-лы, 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента