WO 03080502 A1, 02.10.2003. RU 2121730 C1, 10.11.1998. RU 2266920 C2, 27.12.2005. CN 1920665 A, 28.02.2007.
Имя заявителя:
Некоммерческое партнерство по научной, образовательной и инновационной деятельности "Центр диагностики наноструктур и наноматериалов" (RU)
Изобретатели:
Балашов Евгений Михайлович (RU) Гришин Максим Вячеславович (RU) Далидчик Федор Иванович (RU) Ковалевский Сергей Алексеевич (RU) Шуб Борис Рувимович (RU)
Патентообладатели:
Некоммерческое партнерство по научной, образовательной и инновационной деятельности "Центр диагностики наноструктур и наноматериалов" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области нанотехнологий, к синтезу, модификации, разрушению и диагностике металлооксидных наноструктур с использованием сканирующего туннельного микроскопа (СТМ). Технический результат изобретения заключается в непрерывном контроле строения и свойств наноструктур при осуществлении единого технологического цикла, включающего синтез, модификацию и разрушение наноструктур. Способ управляемого синтеза с модификацией единичных металлооксидных наноструктур заключается в том, что синтез и модификацию наноструктур осуществляют на металлическом острие СТМ, расположенном над поверхностью бездефектного участка (0001)-грани графита, путем его дозированной выдержки в газовой среде химического реагента при давлении порядка 1·10-8 торр в присутствии сильного электрического поля, создаваемого напряжением, приложенным к разомкнутому наноконтакту, образованному острием и графитом. При осуществлении синтеза наноструктур в качестве химического реагента используют окислитель, а при модификации или разрушении - восстановитель. Также модификацию и разрушение наноструктур проводят воздействием либо импульсов напряжения, подаваемых на разомкнутый наноконтакт, либо импульсов туннельного тока, возникающих при подаче импульсов напряжения на замкнутый наноконтакт. Постоянный контроль строения и свойств наноструктур осуществляют путем измерений вольт-амперных характеристик или проводимостей туннельных наноконтактов. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 5 ил., 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента