US 7331709 B2, 19.02.2008. EP 1640695 A1, 29.03.2006. RU 2251086 C2, 27.04.2005. RU 2321011 C1, 27.03.2008.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского" (RU)
Изобретатели:
Акчурин Гариф Газизович (RU) Акчурин Георгий Гарифович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области нанотехнологий, в частности к измерению температуры одной проводящей (металлической или полупроводниковой) наночастицы с помощью сканирующего туннельного микроскопа, работающего в режиме наноконтакта и использование эффекта Зеебека в наноразмерной контактной области. Способ измерения температуры наночастицы характеризуется тем, что располагают наночастицу из металла на проводящей поверхности из такого же материала при известной начальной температуре наночастицы и поверхности Т0 в условиях термодинамического равновесия, измеряют величину туннельного тока при уменьшении растояния между наноострием зонда и поверхностью наночастицы с помощью 3-D пространственного сканера туннельного микроскопа, устанавливают режим касания зондируемой поверхности наночастицы наноострием зонда по величине скачкообразного возрастания тунельного тока зонда, что соответствует формированию наноконтакта, при этом зонд выполнен из металла, отличающегося работой выхода электрона от материала наночастицы, отключают электрический потенциал на зонде тунельного микроскопа, калибруют полученную нанотермопару при ее нагревании по известной температуре поверхности T1, измеряют необходимые параметры для определения температуры наночастицы Т из соотношения (Т-Т0)=Vт/т. Технический результат - возможность измерения не только локальной температуры наночастицы, но и времени установления температуры с временным разрешением в микро- и наносекундном диапазоне с помощью туннельного микроскопа, зонд которого представляет собой микрополосковую линию, центральный полосок которой заканчивается металлическим наноострием. 1 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента