US 2008211349 A1, 04.09.2008. US 2007057196 A1, 15.03.2007. RU 2199171 C2, 20.02.2003. RU 2306621 C1, 20.09.2007.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (RU)
Изобретатели:
Неволин Владимир Кириллович (RU) Царик Константин Анатольевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (RU)
Реферат
Изобретение относится к устройствам точного позиционирования образца в сверхвысоком вакууме при помощи пьезоэлектрических двигателей и системы емкостных датчиков в установках с фокусированным ионным или электронным пучком, в которых формируются наноэлементы. Позиционирование образца относительно ионной пушки происходит не только с помощью грубых ультразвуковых двигателей, но и с помощью перемещения дополнительно установленной платформы с пьезодвигателями в систему позиционирования образца, положение которой отслеживается точными емкостными датчиками. Происходит компенсация термического дрейфа координатной системы позиционирования и нелинейности движения пьезодвигателей с помощью обработки сигналов с емкостных датчиков в системе позиционирования и обратной связи с пьезодвигателями. Ведется слежение и компенсация отклонения ионной пушки в результате термического перекоса вакуумной камеры с помощью дополнительных перемещений пьезоэлектрических двигателей в результате обработки сигналов с емкостных датчиков, следящих за положением фланца, к которому прикреплена ионная пушка, относительно основы системы позиционирования, закрепленной к нижнему фланцу камеры. Осуществляется контроль положения системы позиционирования, находящейся в камере сверхвысокого вакуума, с помощью интерферометрической системы, находящейся вне камеры, через смотровое окно. Технический результат - увеличение точности получения требуемых теоретически рассчитанных элементов наноэлектроники с хорошей воспроизводимостью. 2 з.п. ф-лы, 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента