Hans-Werner Fink, "Mono-atomic tips for scanning tunneling microscopy", IBM Journal of Research and Development, VOL.30 NO. 5, September 1986, pp.460-465. D.K.Biegelsen, F.A.Ponce, J.C.Tramontana, "Simple ion milling preparation of <111> tungsten tips", Applied Physics Letters 54 (13), 27 March 1989, pp.1223-1225. RU 1776099 С, 09.02.1995.Bjorklund K.L., Ribbing С., Norde H., Boman M., "Containerless fabrication of tungsten single crystals using laser CVD for field emission applications", Applied Physics A: Materials Science & Processing, Volume 75, Number 4, 493-496 (2002). K.Hata, M.Kumamura, Т.Yasuda, Y.Saito, A.Ohshita, "A FEM study of liquid lithium on a 011-oriented tungsten tip", Applied Surface Science, Volumes 87-88, 2 March 1995, Pages 117-121, Proceedings of the 41st International Field Emission Symposium.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА РАН (ИФТТ РАН) (RU)
Изобретатели:
Чайка Александр Николаевич (RU) Глебовский Вадим Георгиевич (RU) Семенов Валерий Николаевич (RU) Божко Сергей Иванович (RU) Штинов Евгений Дмитриевич (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА РАН (ИФТТ РАН) (RU)
Реферат
Изобретение относится к области физики поверхности, а именно к способам получения острий из монокристаллического вольфрама для сканирующей туннельной микроскопии. Способ заключается в том, что электрохимическое травление монокристаллической заготовки с поперечным сечением 0,5×0,5 мм проводят в области мениска, высота которого уменьшается по мере образования шейки между верхней и нижней частями заготовки. Нижняя часть заготовки погружена в электролит на 3 мм, травление ведут до отрыва нижней части заготовки под действием собственной массы, затем проводят заострение в сверхвысоком вакууме, последовательно используя коаксиальную электронную и ионную бомбардировку ионами аргона, причем острие иглы направлено навстречу бомбардировке. Технический результат - повышение стабильности и продолжительности работы зонда. 4 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента