СН 643397 А5, 30.05.1984. JP 6201584 А, 19.07.1994. WO 02/23159 A1, 21.03.2002. JP 10267941 A, 09.10.1998. JP 6231494 A, 19.08.1994.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского" (RU)
Изобретатели:
Акчурин Гариф Газизович (RU) Акчурин Георгий Гарифович (RU) Волков Юрий Петрович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского" (RU)
Реферат
Изобретение относится к области нанотехнологий, в частности к сканирующим туннельным микроскопам. Способ включает определение 3-D профиля полупроводниковой или металлической поверхности при приближении по вертикальной координате Z зонда с металлическим наноострием, при этом облучают поверхность под наноострием зонда перестраиваемым по длине волны оптическим излучением в диапазоне от ИК до УФ с постоянной спектральной мощностью излучения, фиксируют значение длины волны гр, соответствующее границе резкого возрастания величины туннельного тока и определяют материал полупроводника или металла по значению величины энергетической ширины запрещенной зоны полупроводника Eg или работы выхода А электронов из металла в локальной области поверхности, определяемой наноострием зонда соответственно из соотношения Eg=1238/гр, А=1238/гр, где гр - граничная длина волны в нм; Eg, А - ширина запрещенной зоны для зондируемого полупроводника или работа выхода для металла, в электронвольтах, в данной точке поверхности. Технический результат - обеспечение возможности бесконтактно определять элементный состав материала. 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента