Учреждение Российской академии наук Институт кристаллографии имени А.В. Шубникова РАН (RU)
Реферат
Изобретение относится к способу изучения поверхности тела методом атомно-силовой микроскопии и может применяться в нанотехнологиях и материаловедении. При реализации способа на столе блока сканера атомно-силового микроскопа размещают эталонный образец и производят измерение амплитудных кривых в прерывисто-контактном режиме, затем удаляют эталонный образец, размещают на названном столе исследуемый образец и осуществляют измерение амплитудных кривых при тех же параметрах, что и для эталонного образца. Затем сравнивают значения угла наклона линейной части амплитудной кривой для исследуемого образца и значение угла наклона амплитудной кривой для эталонного образца, при отклонении значения наклона амплитудной кривой исследуемого образца от значения данного параметра для эталонного образца более чем на 10% производят увлажнение газовой среды над исследуемым образцом до тех пор, пока расхождение значений угла наклона линейной части амплитудной кривой для исследуемого образца и угла наклона амплитудной кривой для эталонного образца будет составлять не более 10%. При достижении указанного значения увлажнение газовой среды прекращают. В качестве эталонного образца можно применять свежий скол пирографита. Технический результат - повышение достоверности результатов исследования поверхности твердого тела методом атомно-силовой микроскопии. 1 з.п. ф-лы, 5 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента