

	Главная Патентный отдел Технологии Справочник ГРНТИ Прием Наши координаты Обратная связь

Поиск патентов

Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

Патентный отдел

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»

Вернуться к списку

ГАЗОВЫЙ ДАТЧИК

Номер публикации патента: 2464552

Вид документа:	C1
Страна публикации:	RU
Рег. номер заявки:	2011116012/28

Получить полное описание патента

Редакция МПК:	6
Основные коды МПК:	G01N027/12
Аналоги изобретения:	RU 2178558 C1, 20.01.2002. RU 2281485 C1, 10.08.2006. RU 2274854 C1, 20.04.2006. RU 2326371 C1, 10.06.2008. RU 2400737 C2, 27.09.2010.

Имя заявителя:	Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный технический университет" (RU)
Изобретатели:	Кировская Ираида Алексеевна (RU) Буданова Елена Михайловна (RU) Юрьева Алла Владимировна (RU)
Патентообладатели:	Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный технический университет" (RU)

Реферат

Изобретение относится к области газового анализа, в частности к детектирующим устройствам, применяемым для регистрации и измерения содержания микропримесей аммиака и других газов. Газовый датчик согласно изобретению содержит полупроводниковое основание, выполненное из поликристаллической пленки селенида цинка, и подложку, при этом подложкой служит электродная площадка пьезокварцевого резонатора. Изобретение обеспечивает повышение чувствительности датчика и технологичность его изготовления. 3 ил.

Вернуться к списку

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь

Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"