RU 1393465 C1, 27.06.2010. RU 2401427 C1, 10.10.2010. RU 2184978 C1, 10.07.2011. RU 2005118104 A, 20.01.2006. JP 9299830 A, 25.11.1997.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Иркутский государственный университет (RU)
Изобретатели:
Рябов Евгений Валерьевич (RU) Мухачев Юрий Сергеевич (RU) Борзенко Светлана Юрьевна (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Иркутский государственный университет (RU)
Реферат
Изобретение может быть использовано для обнаружения алмазов в алмазосодержащих смесях минералов, для их последующего извлечения с помощью исполнительного механизма, кроме того, изобретение может быть использовано для измерения электрического заряда частиц минералов при исследовании процессов электрической сепарации различных руд. Предложены два варианта конструкции датчика, в котором поверхность внутреннего канала датчика, имеющая постоянное поперечное сечение, разделена на чувствительный электрод и заземленный электрод так, что обеспечивается заданная кинетика изменения величины индуцированного заряда на чувствительном электроде в процессе движения измеряемого. Закон распределения площади чувствительного электрода в плоскости, перпендикулярной оси датчика, выбирается на основе математической модели формирования сигнала, учитывающей закон движения измеряемого заряда. Изобретение обеспечивает, во-первых, создание конструкции датчика, в которой, исходя из заданной (оптимальной для дальнейшего анализа) формы выходного сигнала датчика, может быть определены геометрия электродов датчика; во-вторых, повышение точности определения знака трибоэлектрического заряда минералов; в-третьих, повышение производительности и селективности сепарации путем снижения вероятностей ложного принятия решения об обнаружении полезного минерала и пропуска полезного минерала при одновременной регистрации сигналов от двух и более противоположно заряженных минералов. 2 н. и 4 з.п. ф-лы, 7 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента