|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ДАТЧИК |  |
Номер публикации патента: 2196981 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | G01N027/12 G01N027/414 | | Аналоги изобретения: | RU 2061233 С1, 27.05.1996. RU 98 119756 А, 10.09.2000. DE 4028062 А1, 19.03.1992. DE 4403152 А1, 03.08.1995. GB 2321336, 22.07.1998. |
| Имя заявителя: | ТАКЕШИ Саито (JP),Мурашев Виктор Николаевич (RU) | | Изобретатели: | ТАКЕШИ Саито (JP)
Мурашев В.Н. (RU)
Манюшин А.И. (RU)
Карпов Е.Ф. (RU)
Мордкович В.Н. (RU)
Горнев Е.С. (RU)
Красников Г.Я. (RU) | | Патентообладатели: | ТАКЕШИ Саито (JP)
Мурашев Виктор Николаевич (RU) |
Реферат | |
Использование: в газовой, угольной и других областях промышленности для регистрации водорода и газов метановой группы. Сущность: в газочувствительном датчике полевой транзистор расположен на диэлектрическом слое, сформированном на поверхности монокристаллического кремния. Затвор полевого транзистора снабжен двумя контактами для обеспечения его электрического нагрева до температуры разложения газов метановой группы.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента