|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ДАТЧИК ДЕФЕКТОВ |  |
Номер публикации патента: 2098809 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | G01N027/90 G01N027/82 | | Аналоги изобретения: | 1. SU, авторское свидетельство N 1161859, кл. G 01 N 27/82, 1985. 2. SU, авторское свидетельство N 974244, кл. G 01 N 27/90, 1982. |
| Имя заявителя: | Уфимский государственный авиационный технический университет | | Изобретатели: | Хайруллин И.Х.
Исмагилов Ф.Р.
Янгиров И.Ф.
Хайруллин Т.И. | | Патентообладатели: | Уфимский государственный авиационный технический университет |
Реферат | |
Использование: неразрушающий метод контроля параметров магнитного поля. Сущность: магнитоэлектрический датчик дефектов содержит намагниченную систему и измерительный элемент. Намагниченная система выполнения в виде одинаковых секций из парнополюсных магнитов с прорезями на наружной поверхности вдоль продольной оси магнитов и с противоположных торцев одиночных полюсов. Измерительная система выполнена в виде непрерывной обмотки, размещенной в прорезях. 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента