|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| МАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ДАТЧИК ДЕФЕКТОВ |  |
Номер публикации патента: 2097759 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | G01N027/90 | | Аналоги изобретения: | 1. SU, авторское свидетельство, 974244, кл.G 01N 27/90, 1982. 2. SU, авторское свидетельство, 1265582, кл.G 01N 27/90, 1986. |
| Имя заявителя: | Уфимский государственный авиационный технический университет | | Изобретатели: | Хайруллин И.Х.
Янгиров И.Ф.
Исмагилов Ф.Р.
Широков В.В. | | Патентообладатели: | Уфимский государственный авиационный технический университет |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к контрольно-измерительной технике, к неразрушающим методам контроля параметров магнитного поля и качества изделия. Сущность изобретения: магнитоэлектрический датчик дефектов отличается тем, что на полюсах П-образного магнита 1 установлены на равном расстоянии друг от друга магнитопроводящие полосовые наконечники 3, которые обхвачены измерительными обмотками 2, соединенными с соответствующими обмотками другого полюса. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента