|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ МАГНИТОГРАФИЧЕСКОГО КОНТРОЛЯ СТЫКОВЫХ СВАРНЫХ ШВОВ ДВУМЯ ЛЕНТАМИ |  |
Номер публикации патента: 2086973 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | G01N027/85 | | Аналоги изобретения: | 1. Фалькевич А.С., Хусанов М.Х. Магнитографический контроль сварных соединений. - М.: Машиностроение, 1966, с. 232. 2. Козлов В.С. Техника магнитографической дефектоскопии. - Минск: Вышэйшая школа, 1976, с. 256. 3. Зайцев К.И., Шмелева И.А. Справочник по сварочно-монтажным работа при строительстве трубопроводов. - М.: Недра, 1982, с. 223. 4. Авторское свидетельство СССР N 296031, кл. G 01 N 27/85, 1971. 5. Михайлов С.П., Щербинин В.Е. Физические основы магнитографической дефектоскопии. - М.: Наука, 1992, с. 240. |
| Имя заявителя: | Горно-Алтайский государственный университет | | Изобретатели: | Михайлов С.П. | | Патентообладатели: | Горно-Алтайский государственный университет |
Реферат | |
Изобретение относится к магнитографическому методу неразрушающего контроля стыковых сварных швов. Сущность изобретения: намагничивают контролируемое изделие вместе с двумя отличающимися по магнитным свойствам магнитными лентами, разделенными немагнитной прокладкой и уложенными немагнитными основами друг к другу на его поверхность, поперечным к шву постоянным магнитным полем Ho, ленты выбирают так, чтобы насыщающее поле первой более магнитожесткой ленты было максимально возможным, поле насыщения второй ленты было близким стартовому полю первой, поле Ho выбирают близким полю насыщения второй ленты, первую ленту укладывают ближе к поверхности изделия, снятые с изделия ленты считывают в поперечном их длине направлении двумя преобразователями, первый из которых максимально приближен к поверхности ленты, а второй имеет линейную характеристику и находится на некотором удалении от ленты. 4 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента