|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ГАЗОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ДАТЧИК НА ОСНОВЕ ПОЛЕВОГО ТРАНЗИСТОРА |  |
Номер публикации патента: 2061233 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | G01N027/12 | | Аналоги изобретения: | J.Lundstrom, C.Svengson "Gas-sensitive Metal Gate Semiconductor Devices, Soliol state Shemical Sensors". Akademic Press. Inc. Sau Diego, New Jork, London, 1989, p.1 - 63. Евдокимов А.В. и др. Микроэлектронные датчики химического состава газов. - Зарубежная электронная техника, 1988, N 2, с. 26 - 27. |
| Имя заявителя: | Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им.Ф.В.Лукина | | Изобретатели: | Березкин В.А.
Борзов Е.И.
Качуровский Ю.Г.
Полубояринов Ю.М.
Шкуропат И.Г. | | Патентообладатели: | Государственный научно-исследовательский институт физических проблем им.Ф.В.Лукина |
Реферат | |
Использование: в микроэлектронной промышленности при изготовлении газочувствительных датчиков. Сущность изобретения: датчик содержит кремниевую подложку с областями стока и истока, слой тонкого диэлектрика между ними, на котором расположен затвор. В слое толстого диэлектрика выполнены отверстия для контактов к областям стока и истока. На слое тонкого диэлектрика между затвором и слоем толстого диэлектрика расположена поликремниевая пленка с нанесенным на нее слоем диоксида кремния. Пленка имеет форму петли или рамки и ее ширина не превышает расстояния от границы слоя толстого диэлектрика до границы области пространственного заряда стока и истока. Затвор выполнен из каталитически активного металла. 2 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента