|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДАТЧИК ВЛАЖНОСТИ ГАЗОВ |  |
Номер публикации патента: 2161794 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | G01N027/12 G01N025/56 | | Аналоги изобретения: | RU 2125260 С1, 20.01.1999. SU 541137 А, 30.12.1976. EP 0045950 А1, 17.02.1982. EP 0043001 А1, 06.01.1982. JP 611007456 А2, 14.01.1986. |
| Имя заявителя: | Омский государственный технический университет | | Изобретатели: | Кировская И.А. | | Патентообладатели: | Омский государственный технический университет |
Реферат | |
Изобретение относится к области газового анализа. Сущность изобретения состоит в том, что в известном датчике влажности газов, содержащем полупроводниковое основание с нанесенными на его поверхность металлическими электродами, основание выполнено из поликристаллической пленки селенида цинка, легированного арсенидом галлия. Технический результат: повышение чувствительности датчика и технологичности его изготовления. 3 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента