|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИССЛЕДОВАНИЯ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛУПРОЗРАЧНОГО ОБРАЗЦА МЕТОДОМ ПЭВ - МИКРОСКОПИИ |  |
Номер публикации патента: 2097747 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | G01N021/88 | | Аналоги изобретения: | Либенсон М.Н. и др. Оптический вестник, 1992, N 5, с.1-2. Тищенко А.А. и др. Вестник РУДН (сер.физика), 1993, т.1, N 1, с.114-121. Roeseler A. et al. Optics Commun, 1989, v.70, N 1, p.8-11. SU, авторское свидетельство, 1749785, кл. G 01 N 21/41, 1992. Morgan H. et al. Applied Physics Letters, 1994, v.64, N 11, p.1330-1331. |
| Имя заявителя: | Российский университет дружбы народов | | Изобретатели: | Никитин А.К. | | Патентообладатели: | Российский университет дружбы народов |
Реферат | |
Использование: изобретение относится к области контроля качества поверхностей материалов оптическими методами. Сущность изобретения заключается в том, что в способе исследования полупрозрачного образца методом ПЭВ-микроскопии, включающем нанесение полупрозрачного образца из поверхностно-активного материала на основание твердотельной призмы с показателем преломления больше показателя преломления окружающей среды, возбуждение ПЭВ на границе раздела "образец - окружающая среда" сколлимированным монохроматическим p-поляризованным излучением внешнего источника, направленным на основание призмы, и регистрацию пространственного распределения интенсивности отраженного излучения фотоприемным устройством, на основание призмы воздействуют набором сколлимированных пучков монохроматического излучения с различными длинами волн λo под углами падения, равными соответствующим углам возбуждения ПЭВ на данных λo, а регистрацию пространственного распределения интенсивности отраженного излучения выполняют во всех пучках одновременно для выбора необходимого контраста изображения образца. 1 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента