|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ РАССОВМЕЩЕНИЯ ТОПОЛОГИЧЕСКИХ СЛОЕВ В ПРОИЗВОДСТВЕ ИНТЕГРАЛЬНЫХ СХЕМ |  |
Номер публикации патента: 2022258 |  |
| Редакция МПК: | 5 | | Основные коды МПК: | G01N021/88 | | Аналоги изобретения: | 1. Технология полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники. Кн.8. В.В.Мартынов, Г.Е.Базарова. Литографические процессы. М., ВШ, 1990, с.26, с.80. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт молекулярной электроники | | Изобретатели: | Ларионов Ю.В.
Озерин Ю.В. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт молекулярной электроники |
Реферат | |
Использование: в микроэлектронике для измерения рассовмещения топологических слоев. Сущность изобретения: создают тестовую структуру в виде наложенных линейных дифракционных решеток с одинаковым периодом, причем одна решетка создается в одном из совмещаемых слоев, а другая - в другом совмещаемом слое, освещают тестовую структуру параллельным пучком лазерного света, образуя дифракционный спектр в виде набора главных дифракционных максимумов, измеряют асимметрию интенсивности света в виде отношения интенсивностей в порядках дифракции, расположенных симметрично относительно нулевого порядка, и по формуле, с учетом известных геометрических и оптических параметров элементов тестовой структуры, рассчитывают величину рассовмещения. Для повышения точности измерения рассовмещения топологических слоев за счет устранения влияния на результат измерения ошибок в определении геометрических и оптических параметров элементов тестовой структуры, в каждом из совмещаемых слоев формируют две тестовые структуры в виде наложенных дифракционных решеток, причем в одной из них штрихи решетки второго слоя смещены в одну сторону от штрихов решетки первого слоя на известную величину, а в другой штрихи решеток второго слоя смещены в другую сторону от штрихов решеток первого слоя на ту же величину, поочередно освещают обе тестовые структуры параллельным пучком лазерного света, измеряют разность интенсивностей дифрагированного света в паре порядков, расположенных симметрично относительно нулевого порядка, для каждой из структур, и по формуле рассчитывают величину рассовмещения. 2 с.п. ф-лы, 6 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента