|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| УСТАНОВКА ДЛЯ КОНТРОЛЯ ПРОЧНОСТИ МИКРОСОЕДИНЕНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИЗДЕЛИЙ |  |
Номер публикации патента: 2186366 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | G01N019/04 | | Аналоги изобретения: | SU 1525555 A1, 30.11.1989. US 3636755 А, 25.01.1972. GB 1523295 А, 31.08.1978. US 4491014 А, 01.01.1985. SU 1545147 A1, 23.02.1990. US 3741012 А, 26.06.1973. SU 1640619 A1, 07.04.1991. |
| Имя заявителя: | Воронежский государственный технический университет,Акционерное общество открытого типа "Воронежский завод полупроводниковых приборов" | | Изобретатели: | Беляев В.Н.
Бокарев Д.И.
Горлов М.И.
Зенин В.В.
Сегал Ю.Е.
Фоменко Ю.Л. | | Патентообладатели: | Воронежский государственный технический университет
Акционерное общество открытого типа "Воронежский завод полупроводниковых приборов" |
Реферат | |
Изобретение относится к испытательной технике и может быть использовано для группового контроля прочности микросоединений полупроводниковых изделий. Установка для контроля прочности микросоединений полупроводниковых изделий содержит механизм приложения отслаивающей нагрузки, выполненный в виде вакуумной головки и состоящий из вакуумной камеры и системы вакуумных отсеков, расположенных напротив каждого микросоединения и имеющих калиброванные отверстия и дросселирующие пазы в стенках, сопрягаемых с
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента