Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (RU)
Изобретатели:
Щеглов Дмитрий Владимирович (RU) Латышев Александр Васильевич (RU)
Патентообладатели:
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук (RU)
Реферат
Способ анализа трения с использованием атомно-силовой микроскопии и устройство для его осуществления могут быть использованы для исследования трибологических свойств поверхностей в нанометровом масштабе. Изобретение направлено на упрощенное высокоточное измерение энергии диссипации на трение между двумя соприкасающимися телами, в широком диапазоне скоростей и в любой локальной точке их соприкосновения. Устройство анализа трения с использованием атомно-силовой микроскопии содержит держатель образца, на котором размещен образец, лазерный излучатель и фотодетектор, микрометровую балку, один конец которой жестко закреплен в держателе микрометровой балки, а другой конец, свободно висящий, на котором закреплен зонд. Держатель микрометровой балки соединен с вибрирующим элементом, а также соединен с узлом осуществления взаимного перемещения в любом из горизонтальных направлений зонда и образца. Причем узел осуществления взаимного перемещения в любом из горизонтальных направлений зонда и образца включен между держателем образца и измеряющим узлом, а измеряющий узел соединен через регулирующий величину сближения образца и зонда в вертикальном направлении узел с держателем образца. При этом в него введены дополнительно усилитель сигнала с фотодетектора и узел визуализации, причем усилитель сигнала с фотодетектора включен между фотодетектором и измеряющим узлом, а узел визуализации также соединен с измеряющим узлом, кроме того фотодетектор выполнен из четырех секций и размещен в пространстве таким образом, чтобы в него попадало одинаковое количество лазерного излучения. Способ реализуется вышеупомянутым устройством. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 7 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента