RU 2299425 C1, 08.12.2005. RU 94706 U1, 27.05.2010. EP 983450 В1, 18.08.2004. ЕР 681176 B1, 21.05.2003. Тягунов Г.В. и др. Измерение удельного электрического сопротивления методом вращающегося магнитного поля. - Заводская лаборатория. - М., 2, т.69, с.35-37, 2003. Тягунов Г.В. и др. Установка для измерения кинематической вязкостиметаллических расплавов. - Заводская лаборатория, 10, с.919-920, 1980. Арсентьев П.П. и др. Физико-химические методы исследования металлургических процессов. - М.: Металлургия, с.126-127, 1988.
Имя заявителя:
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" (RU)
Изобретатели:
Конашков Виктор Васильевич (RU) Поводатор Аркадий Моисеевич (RU) Вьюхин Владимир Викторович (RU) Цепелев Владимир Степанович (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина" (RU)
Реферат
Группа предлагаемых изобретений относится к технической физике, а именно - к анализу материалов путем бесконтактного фотометрического определения кинематической вязкости и удельного электрического сопротивления нагреваемого тела в зависимости от температуры. Способ измерения кинематической вязкости и электрического сопротивления металлического расплава, при котором определяют угол поворота исследуемого образца расплава. Для чего используют находящееся в зоне нагрева исследуемого образца вращающееся магнитное поле, создаваемое основным магнитным узлом, и временное дополнительное магнитное поле вне зоны нагрева, создаваемое дополнительным магнитным узлом. При этом фотометрически определяют параметры траектории отраженного светового луча, соответствующей углу поворота при крутильных колебаниях тигля с образцом расплава, посредством выходных электрических сигналов фотоприемного устройства. Причем электрическое сопротивление расплава определяют с момента воздействия на него вращающимся магнитным полем путем измерения параметров соседних полупериодов одного из начальных периодов траектории отраженного светового луча. После чего отключают вращающееся магнитное поле и определяют величину логарифмического декремента затухания, по значению которой рассчитывают кинематическую вязкость. Причем во всех измерениях используют сравнение временных значений выходных сигналов фотоприемного устройства.
Поиск патентов
Получить полное описание патента