|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ ПРИСТАВКА ДЛЯ ЭЛЕКТРОНОГРАФА |  |
Номер публикации патента: 2327146 |  |
| Редакция МПК: | 7 | | Основные коды МПК: | G01N023/00 | | Аналоги изобретения: | SU 843024 A1, 30.06.1981. SU 938335 A1, 23.06.1982. SU 437147 A1, 25.07.1974. JP 11111208 А, 23.04.1999. JP 2002131249 А, 09.05.2002. |
| Имя заявителя: | Институт кристаллографии имени А.В. Шубникова Российской академии наук (RU) | | Изобретатели: | Клечковская Вера Всеволодовна (RU)
Архарова Наталья Александровна (RU)
Волков Владимир Владимирович (RU) | | Патентообладатели: | Институт кристаллографии имени А.В. Шубникова Российской академии наук (RU) |
Реферат | |
Использование: для исследования структуры упорядоченных и текстурированных объектов с наноразмерными структурными неоднородностями. Сущность: заключается в том, что высокотемпературная приставка для электронографа для исследования образцов, как на отражение, так и в режиме просвечивания при одновременном нагреве до 300°С, выполнена с возможностью исследования образцов до 100 мм2, причем в режиме просвечивания угол падения электронного пучка составляет до 70 градусов относительно плоскости об
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента