M.Esashi et al. Vacuum-Sealed Silicon Micromachined Pressure Sensors. Proceedings of the IEEE, 86, 1998, pp.1627-1639. SU 1529063 A1, 15.12.1989. SU 1303856 A1, 15.04.1987. EP 0822398 A1, 04.02.1998. EP 1860418 A1, 28.11.2007. EP 0502306 A2, 09.09.1992. US 5877425 A, 02.03.1999. US 3918019 A, 04.11.1975.
Имя заявителя:
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" МИЭТ" (RU)
Изобретатели:
Годовицын Игорь Валерьевич (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" МИЭТ" (RU)
Реферат
Изобретение относится к измерительной технике, а именно к интегральным преобразователям давления. Сущность изобретения: чувствительный элемент преобразователя давления на КНИ-структуре содержит основание из монокристаллического кремния, первый изолирующий слой с окном в нем, слой упругого материала, второй изолирующий слой, по крайней мере, один тензорезистор и контакты к тензорезистору. Окно в первом изолирующем слое по всему периметру окружено первым изолирующим слоем. Слой упругого материала расположен на первом изолирующем слое и перекрывает окно в первом изолирующем слое по всему его периметру. Основание, первый изолирующий слой и слой упругого материала в месте расположения окна образуют герметичную камеру. Тензорезистор расположен частично между первым изолирующим слоем и слоем упругого материала, частично на поверхности слоя упругого материала над окном. Второй изолирующий слой разделяет тензорезистор и слой упругого материала. Тензорезистор выполнен из монокристаллического кремния. На части тензорезистора, расположенной на поверхности слоя упругого материала над окном и не покрытой вторым изолирующим слоем, расположен третий изолирующий слой, толщина которого составляет не более 0,2 и не менее 0,01 от толщины тензорезистора. Технический результат изобретения - увеличение чувствительности чувствительного элемента к давлению и повышение воспроизводимости начального выходного сигнала чувствительного элемента. 4 з.п. ф-лы, 6 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента