Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ИНТЕГРАЛЬНЫЙ ДАТЧИК АБСОЛЮТНОГО ДАВЛЕНИЯ

Номер публикации патента: 2470273

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 2011130748/28 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: G01L009/12    
Аналоги изобретения: SU 1500887 A1, 15.08.1989. RU 2258913 C2, 20.08.2005. RU 2384825 C1, 20.03.2010. RU 2392593 C1, 20.06.2010. WO 1983000385 A1, 03.02.1983. 

Имя заявителя: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева" (НГТУ) (RU) 
Изобретатели: Вавилов Владимир Дмитриевич (RU) 
Патентообладатели: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева" (НГТУ) (RU) 

Реферат


Изобретение относится к измерительной технике. Техническим результатом является исключение влияния линейных ускорений на чувствительность датчика. Интегральный датчик абсолютного давления содержит проводящую кремниевую мембрану с жестким центром, первую и вторую стеклянные обкладки, соединенные жестко с кремниевой мембраной. В первой стеклянной обкладке имеется приемное отверстие. Между первой стеклянной обкладкой и кремниевой мембраной образована входная камера. Между второй стеклянной обкладкой и кремниевой мембраной образована вакуумированная камера, на внутренней поверхности второй стеклянной обкладки нанесены первый и второй неподвижные проводящие электроды. Первый электрод размещен против подвижного жесткого центра на кремниевой мембране. Второй электрод размещен против недеформируемой части на кремниевой мембране. Первый и второй неподвижные проводящие электроды подключены к входам электронного блока. В жестком центре кремниевой мембраны со стороны входной камеры вытравлено углубление в виде усеченной пирамиды, боковые стенки которой параллельны боковым стенкам жесткого центра. Толщина перегородки, образованной боковыми стенками усеченной пирамиды и жесткого центра, выполнена равной толщине гибкой части кремниевой мембраны. 1 з.п. ф-лы, 2 ил.

Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"