Промышленная Сибирь Ярмарка Сибири Промышленность СФО Электронные торги НОУ-ХАУ Электронные магазины Карта сайта
 
Ника
Ника
 

Поиск патентов

Как искать?
Реферат
Название
Публикация
Регистрационный номер
Имя заявителя
Имя изобретателя
Имя патентообладателя

    





Оформить заказ и задать интересующие Вас вопросы Вы можете напрямую c 6-00 до 14-30 по московскому времени кроме сб, вс. whatsapp 8-950-950-9888

На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента

Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»


ПРИЕМНИК ИК ИЗЛУЧЕНИЯ

Номер публикации патента: 2149365

Вид документа: C1 
Страна публикации: RU 
Рег. номер заявки: 98113620 
  Сделать заказПолучить полное описание патента

Редакция МПК: 
Основные коды МПК: G01J005/02   H01L031/024    
Аналоги изобретения: JP 04261066 A, 17.09.1992. EP 0518026 A1, 16.12.1992. US 5103097 A, 07.04.1992. EP 0403880 A2, 27.12.1990. WO 9418530 A1, 18.04.1994. SU 1695146 A1, 30.11.1991. 

Имя заявителя: Закрытое акционерное общество "Матричные технологии" 
Изобретатели: Барткевич Н.Я.
Комаров Н.В.
Ляпунов С.И. 
Патентообладатели: Закрытое акционерное общество "Матричные технологии" 

Реферат


Изобретение относится к фоточувствительным приборам, предназначенным для обнаружения теплового излучения, в частности к охлаждаемым полупроводниковым приемникам ИК излучения. В приемнике ИК излучения, содержащем сосуд Дьюара, образованный внешним цилиндром с входным окном и внутренним охлаждаемым цилиндром, на котором расположен кристалл фотоприемной матрицы (ФПМ), закрепленный на внутренней стороне верхней панели полого держателя с прямоугольным отверстием, держатель выполнен П-образной формы с отверстием на всю ширину верхней панели и установлен непосредственно на торцевую поверхность охлаждаемого цилиндра, причем верхняя панель удлинена по отношению к его боковым стенкам. Кроме того, кристалл ФПМ закреплен на держателе по двум противоположным краям отверстия на внутренней стороне верхней панели, что обеспечивает тепловой контакт в зоне наибольшей рассеивающей мощности в кристалле. При этом частными случаями выполнения может быть изготовление держателя из нитрида алюминия, сапфира или кремния. Изобретение позволит уменьшить охлаждаемую массу, обеспечит эффективный теплоотвод, а также упростит сборку и технологический монтаж тепловых контактов и сигнальных электрических выводов кристалла ФПМ. 6 з.п. ф-лы, 2 ил.


Дирекция сайта "Промышленная Сибирь"
Россия, г.Омск, ул.Учебная, 199-Б, к.408А
Сайт открыт 01.11.2000
© 2000-2018 Промышленная Сибирь
Разработка дизайна сайта:
Дизайн-студия "RayStudio"