ZHIZHIN G.N. et al. Free-electron laser for infrared SEW characterization of conducting and dielectric solids and nm films on them. Appl. Phys. (A), 1998, v.67, p.667-673. RU 2263923 C1, 10.11.2005. RU 2367966 C1, 20.09.2009. RU 2318192 C1, 27.02.2008. SU 1589733 A1, 30.12.1991. JP 10253446 A, 25.09.1998.
Имя заявителя:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский университет дружбы народов" (РУДН) (RU)
Изобретатели:
Жижин Герман Николаевич (RU) Никитин Алексей Константинович (RU) Хитров Олег Владимирович (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Российский университет дружбы народов" (РУДН) (RU)
Реферат
Изобретение относится к оптическим методам исследования тонких слоев на поверхности металлов и полупроводников, а именно к инфракрасной (ИК) спектроскопии диэлектрической проницаемости. Способ диэлектрической спектроскопии включает воздействие на слой зондирующим излучением, для которого материал тела имеет известную диэлектрическую проницаемость с отрицательной действительной частью, преобразование излучения в поверхностную электромагнитную волну (ПЭВ), измерение интенсивности поля ПЭВ после пробега ею различных макроскопических расстояний, определение комплексного показателя преломления ПЭВ по результатам измерений и известной толщине слоя, расчет диэлектрической проницаемости материала слоя путем решения дисперсионного уравнения ПЭВ для волноведущей структуры, содержащей поверхность и слой. Излучение выбирают имеющим сплошной или дискретный спектр, преобразуют его в набор ПЭВ, частоты которых равны частотам компонент излучения. Изобретение позволяет расширить частотный диапазон и сократить время измерений. 2 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента