На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ПРОСТРАНСТВЕННОГО РАСПРЕДЕЛЕНИЯ ФИЗИЧЕСКОГО ПОЛЯ | |
Номер публикации патента: 2082100 | |
Редакция МПК: | 6 | Основные коды МПК: | G01D021/02 | Аналоги изобретения: | Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. - М., 1990, с. 204-206. |
Имя заявителя: | Казанский государственный технический университет им.А.Н.Туполева | Изобретатели: | Евдокимов Ю.К. Краев В.В. Храмов Л.Д. | Патентообладатели: | Казанский государственный технический университет им.А.Н.Туполева |
Реферат | |
Использование: в измерительной технике, при измерении пространственного распределения физических полей, которые вызывают изменение обратного тока p-n перехода (полей температуры, механического напряжения, магнитного поля и т.д.). Сущность изобретения: способ основан на измерении распределения локальной плотности обратного тока насыщения j(x) вдоль чувствительного элемента, выполненного в виде протяженной трехслойной полупроводниковой p-n-p+ (или n-p-n+) структуры длиной L. Подключают к концам p (или n)-слоя источник постоянного электрического напряжения E, а между концами p (или n) и p+ (или n+)-слоя источник электрического напряжения U. Изменяя напряжение U в пределах O≅U≅E, измеряют зависимость тока I(U) от напряжения U, по которой определяют распределение локальной плотности обратного тока насыщения j(x) вдоль чувствительного элемента. По распределению j(x) и по предварительно найденной экспериментальной или теоретически известной зависимости локальной плотности обратного тока j = F(ϕ) от величины измеряемого физического поля ϕ определяют пространственное распределение физического поля j(x) вдоль чувствительного элемента. 2 с.п. ф-лы, 5 ил.
|