RU 2302610 C1, 10.07.2007. SU 1682764 A1, 07.10.1991. SU 231184 A1, 28.11.1972. ЕР 927869 A1, 07.07.1999. EP 1018532 A2, 12.07.2000.
Имя заявителя:
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ВОЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ВОЕННАЯ АКАДЕМИЯ ТЫЛА И ТРАНСПОРТА имени генерала армии Хрулева А.В." (RU)
Изобретатели:
Романова Елена Анатольевна (RU) Романова Дарья Сергеевна (RU) Калинин Анатолий Георгиевич (RU) Егоркин Борис Георгиевич (RU) Егоркин Григорий Борисович (RU)
Патентообладатели:
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ ВОЕННОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ПРОФЕССИОНАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ "ВОЕННАЯ АКАДЕМИЯ ТЫЛА И ТРАНСПОРТА имени генерала армии Хрулева А.В." (RU)
Реферат
Изобретение относится к измерительной технике. Технический результат: упрощение, повышение точности и достоверности измерений. Сущность: на поверхность конструкции, деформированную постоянной статической нагрузкой, устанавливают основные и дублирующие тензорезисторы. Нагружают конструкцию временной статической нагрузкой. По разности измерений дополнительными тензорезисторами при нагрузке и до ее приложения определяют временные статические деформации. Временную статическую нагрузку снимают, вновь измеряют деформации дополнительными тензорезисторами. Выполняют вырезку материала вокруг дополнительных тензорезисторов. Определяют глубину вырезки, соответствующую снятию напряженного состояния поверхностного слоя, и повторяют измерения деформаций. По разности конечных и начальных деформаций определяют поверхностные деформации под постоянной статической нагрузкой и местным температурным нагревом от вырезки. Дополнительные тензорезисторы снимают с конструкции, вырезки материала заканчивают образованием цилиндрических полостей на заданную глубину. На недеформированном элементе конструкции выполняют вырезку материала вокруг активного тензорезистора на глубину, фиксированную на конструкции. По разности измеренных деформаций до и после вырезки определяют температурные остаточные деформации ненагруженной конструкции. В цилиндрические плоскости устанавливают литые датчики объемных деформаций. Восстанавливают сплошность и неразрывность материала по месту установки. Основные тензорезисторы и тензорезисторы датчиков объемных деформаций включают в тензометрический мост. Нагружают конструкцию динамической нагрузкой. По основным тензорезисторам измеряют поверхностные максимальные динамические деформации, по пространственным тензорезисторам - компоненты объемных динамических деформаций. Вычисляют по соответствующим деформациям максимальные поверхностные и объемные динамические напряжения и их зависимость от скорости нагружения. 2 з.п. ф-лы.
Поиск патентов
Получить полное описание патента