RU 2367062 С1, 10.09.2009. SU 328329 А1, 02.02.1972. SU 1717946 А1, 07.03.1992. SU 1820790 A1, 27.03.1995. SU 744221 A1, 30.06.1980. JP 60195402 A, 03.10.1985. EP 1029225 В1, 22.10.2003.
Имя заявителя:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное объединение им. С.А. Лавочкина" (RU)
Изобретатели:
Володин Николай Михайлович (RU) Каминский Владимир Васильевич (RU) Мишин Юрий Николаевич (RU) Павлинова Елена Евгеньевна (RU)
Патентообладатели:
Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное объединение им. С.А. Лавочкина" (RU)
Реферат
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано как в прочностных испытаниях для определения напряженного состояния конструкций, так и в качестве чувствительного элемента в датчиках механических величин (силы, давления, веса, перемещения и т.д.). Сущность: наклеиваемый полупроводниковый тензорезистор содержит полимерную подложку 1, выполненную, например, из лака ВЛ-931 толщиной 20÷30 мкм, носитель 2, выполненный из тонкой (3÷10 мкм) металлической (например, константан) фольги, сформированную на носителе 2 диэлектрическую разделительную пленку 3 (например, моноокись кремния SiO) толщиной (1÷3 мкм) и выполненную на пленке 3 тензочувствительную пленку 4 из моносульфида самария (SmS) толщиной 0,5÷1 мкм. Носитель 2 после литографических операций представляет собой две площадки, соединенные нитью шириной 50÷200 мкм (форма гантели). Осажденные на носитель 2 в вакууме последовательно диэлектрическая 3 и тензочувствительная 4 пленки также повторяют его форму, а металлические контакты 5 выполнены, например, из никеля толщиной 1÷2 мкм и расположены на концах нити тензочувствительной пленки 4, на ее широких площадках. Полимерная подложка 1 сформирована на обратной стороне носителя 2. Технический результат: увеличение осевой чувствительности к деформации и уменьшение поперечной чувствительности. 2 з.п. ф-лы, 6 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента