|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДЕФОРМАЦИИ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ |  |
Номер публикации патента: 2077024 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | G01B007/16 | | Аналоги изобретения: | Авторское свидетельство СССР N 744221, кл. G 01 B 7/20, 1984. Патент Великобритании N 1325756, кл. G 01 L 1/16, опубл. 1982. |
| Имя заявителя: | Научно-исследовательский институт физических измерений | | Изобретатели: | Козин С.А.
Шамраков А.Л. | | Патентообладатели: | Научно-исследовательский институт физических измерений |
Реферат | |
Использование: для малогабаритных полупроводниковых высокочувствительных преобразователей деформации. Преобразователь деформаций, содержащий воспринимающий механическое воздействие кремниевый кристалл с интегральными тензорезисторами, имеющими металлизированные контактные площадки для присоединения внешних выводов, снабжен металлическими шинами толщиной 0,01...0,05 мм и рамкой из кремния толщиной 0,3...1,0 мм, на которой расположены контактные площадки для внешних выводов, причем металлические шины, связывающие тензорезисторы с контактными площадками для внешних выводы, выполнены в виде плоских пружин. При изготовлении преобразователя деформации формируют на пластине кремния интегральные тензорезисторы и металлизированные контактные площадки к ним для присоединения внешних выводов, разделяют пластины на отдельные преобразователи и присоединяют кристаллы с тензорезисторами на измеряемый объект. После формирования на пластине тензорезисторов создают с непланарной стороны пластины тензорезисторов создают с непланарной стороны пластины разнотолщинные маски под кристаллами и под рамками, напыляют на планарную сторону пластины пленку металла, формируют на ней маску из фоторезиста с окнами под контактные площадки и шины металлизации, имеющие зигзагообразную конфигурацию, электрохимическим методом наносят в окна планку металла толщиной 0,01...0,05, удаляют фоторезист, травят кремний с непланарной стороны сначала между рамками и между рамками и кристаллами на глубину, соответствующую толщине кристалла, удаляют защитную маску под кристаллами, дотарвливают кремний до получения заданной толщины кристалла и сквозных отверстий между рамками и между рамками и кристаллами, стравливают сплошной слой металла с планарной стороны, а при установке преобразователя прижимают кристалл к поверхности измеряемого объекта, опуская его на пружинистых металлических шинах относительно планарной поверхности рамки. 2 с.п. ф-лы, 6 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента