RU 2113703 C1, 20.06.1998. SU 1623410 A1, 15.05.1993. SU 1672274 A1, 23.08.1991. RU 2091746 С1, 27.09.1997. US 3742859 А, 03.07.1973. US 3082689 А, 26.03.1963.
Имя заявителя:
Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (RU), Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики" - ФГУП "РФЯЦ - ВНИИЭФ" (RU)
Изобретатели:
Николин Андрей Александрович (RU) Губачев Владимир Александрович (RU) Михайлов Анатолий Леонидович (RU) Меньших Наталья Альбертовна (RU) Мынцов Виктор Федорович (RU)
Патентообладатели:
Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (RU) Федеральное государственное унитарное предприятие "Российский федеральный ядерный центр - Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики" - ФГУП "РФЯЦ - ВНИИЭФ" (RU)
Реферат
Изобретение относится к исследованиям поведения веществ при динамическом воздействии на них и может быть использовано в любой области техники. Взрывное устройство для динамического нагружения содержит основной заряд взрывчатого вещества, который выполнен многослойным, ударник и узел инициирования основного заряда, включающий матрицу с промежуточным зарядом взрывчатого вещества и средством его инициирования. Между узлом инициирования и основным зарядом размещен подслой из взрывчатого вещества толщиной h, а в качестве узла инициирования основного заряда применен формирователь многоточечного инициирования, в котором матрица выполнена многослойной. Промежуточный заряд выполнен в виде сети детонационных каналов, проходящих через все слои матрицы и имеющих ответвления. Концевые участки каналов выходят на поверхность подслоя и количество ответвлений увеличивается по направлению к нему. На каждом слое основного заряда установлена инертная пластина, выполненная из материала, скорость прохождения ударной волны в котором меньше скорости детонации взрывчатого вещества основного заряда. Толщина подслоя h выбрана из следующего условия: LhL/2, где L - расстояние между соседними концевыми участками каналов. Изобретение позволяет повысить эффективности работы устройства. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента