RU 10857 U1, 16.08.1999. SU 1709157 A1, 30.01.1992. SU 1116265 A1, 30.09.1984. SU 612131 A1, 26.05.1978. FR 2699263 A1, 17.06.1994. US 6468269 B1, 22.10.2002.
Имя заявителя:
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН) (RU)
Изобретатели:
Строганов Александр Сергеевич (RU) Ковчавцев Анатолий Петрович (RU) Курышев Георгий Леонидович (RU)
Патентообладатели:
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения РАН (ИФП СО РАН) (RU)
Реферат
Криостат относится к элементам конструкции фоточувствительных приборов, регистрирующих инфракрасное излучение. Криостат содержит корпус с охлаждаемой платформой и узлом криостатирования охлаждаемой платформы. Узел криостатирования выполнен заливным в виде баллона для сжиженного газа с заливной горловиной, на внешней поверхности которого размещена охлаждаемая платформа, или стыкуемым с микрокриогенной системой охлаждения в виде ножки криостата, на которой размещена охлаждаемая платформа. Заливная горловина или ножка криостата состоит из трех тонкостенных коаксиально расположенных с зазором трубок из нержавеющей стали. Охлаждаемая платформа из меди связана с корпусом посредством подвешивающих ее упругонатянутых струн. В результате использования изобретения достигается снижение теплопритоков и повышение устойчивости к внешним механическим воздействующим факторам. 10 з.п. ф-лы, 3 ил.
Поиск патентов
Получить полное описание патента