|
На данной странице представлена ознакомительная часть выбранного Вами патента
Для получения более подробной информации о патенте (полное описание, формула изобретения и т.д.) Вам необходимо сделать заказ. Нажмите на «Корзину»
| ПЛАЗМЕННЫЙ УСКОРИТЕЛЬ С ЗАМКНУТЫМ ДРЕЙФОМ ЭЛЕКТРОНОВ |  |
Номер публикации патента: 2139647 |  |
| Редакция МПК: | 6 | | Основные коды МПК: | H05H001/54 F03H001/00 | | Аналоги изобретения: | US 4703222 A, 1987. EP 0781921 A1, 1997. EP 0778415 A1, 1997. FR 2693770 A1, 1994. RU 2030134 C1, 1995. RU 2088802 C1, 1997. RU 2045134 C1, 1995. |
| Имя заявителя: | Бугрова Антонина Ивановна | | Изобретатели: | Бугрова А.И.
Морозов А.И.
Евтихиев Н.Н.
Балебанов В.М.
Козинцева М.В.
Липатов А.С.
Харчевников В.К.
Чурбанов Д.В. | | Патентообладатели: | Бугрова Антонина Ивановна |
Реферат | |
Изобретение относится к плазменной технике и преимущественно предназначено для использования в космической технике. Магнитная система плазменного ускорителя с замкнутым дрейфом электронов содержит два источника магнитного поля, магнитопровод и три пары кольцеобразных магнитных полюсов. Первая пара магнитных полюсов охватывает кольцеобразный канал ускорения и ионизации со стороны его открытого выхода и образует торцевую часть ускорителя. Первый источник магнитного поля размещен между внутренними магнитными полюсами первой и третьей пары. Второй источник магнитного поля расположен вокруг внешней стенки кольцеобразного канала между внешними магнитными полюсами первой и третьей пары. Внешний полюс третьей пары магнитных полюсов установлен между буферной камерой и внешним полюсом первой пары. Внутренний полюс третьей пары образован на центральном сердечнике и расположен напротив буферной камеры со смещением относительно плоскости внешнего полюса этой же пары полюсов в сторону газораспределителя. Использование такой конструкции позволяет повысить надежность ускорителя и его КПД до 65-72%, а также уменьшить полуугол расходимости пучка до значения менее ±15° при снижении общего веса и габаритов. 10 з.п.ф-лы, 3 ил.
|
Поиск патентов
Получить полное описание патента