Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет" (RU)
Изобретатели:
Муратов Василий Михайлович (RU) Важов Владислав Федорович (RU) Лопатин Владимир Васильевич (RU) Гафаров Руслан Ренатович (RU) Дацкевич Сергей Юрьевич (RU) Журков Михаил Юрьевич (RU)
Патентообладатели:
Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский политехнический университет" (RU)
Реферат
Группа изобретений может найти применение при бурении скважин без отбора керна высоковольтными разрядами и механическим воздействием на забой при геологоразведочных работах, в горнодобывающей промышленности и в строительных отраслях. Бурение ведут при оптимальных параметрах. Удельную энергию, выделяемую на единице длины межэлектродного промежутка, принимают с учетом удельной прочности горной породы на сжатие; шаг перемещения электродов бурового долота за время между двумя высоковольтными импульсами выбирают с учетом числа импульсов, необходимого для прохождения электродами расстояния, равного длине межэлектродного промежутка, а необходимое число импульсов принимают с учетом оптимальной энергии высоковольтного импульса, необходимой для выделения в межэлектродном промежутке, энергии, запасаемой источником высоковольтных импульсов и числа электродов бурового долота. Высоковольтные электроды (1) бурового долота установлены подвижно на оси (3), которая электрически соединена с высоковольтным токопроводом (5). Высоковольтный токопровод (5) отделен от корпуса (4) высоковольтным изолятором (6). В торцевой части корпуса (4) укреплены породоразрушающие элементы (7) с твердосплавными резцами (8). Длины межэлектродных промежутков между высоковольтными электродами (1) и заземленными электродами (2), а также заземленными через корпус (4) породоразрушающими элементами (7) одинаковы. Применение способа с использованием долота повышает эффективность способа. 2 н. и 3 з.п. ф-лы, 2 ил., 1 табл.
Поиск патентов
Получить полное описание патента